[发明专利]硅异质接面太阳能电池的制程有效
| 申请号： | 201010226886.3 | 申请日： | 2010-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN102315312A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 杨士贤;吴永俊 | 申请（专利权）人： | 国立清华大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅异质接面太阳能电池的制程，所述硅异质接面太阳能电池包含一第一电性硅基板、分别形成于第一电性硅基板两侧并与第一电性硅基板形成异质接面的第一本征硅层与第二本征硅层、分别形成第一本征硅层与第二本征硅层上的第二电性硅层与第一电性重掺杂型硅层；其中本发明以离子布植的方式形成该第二电性硅层与第一电性重掺杂型硅层，以优化第二电性硅层与第一电性重掺杂型硅层的厚度与掺杂质量。 | ||
| 搜索关键词： | 硅异质接面 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种硅异质接面太阳能电池(1)的制程，其步骤包含：制备一第一电性结晶硅基板；形成第一硅层(22)与第二硅层(23)于所述第一电性结晶硅基板的两个侧面上；所述第一硅层(22)与所述第二硅层(23)分别与所述第一电性结晶硅基板形成硅异质接面；离子布植于所述第一硅层(22)与所述第二硅层(23)，致使所述第一硅层(22)中朝向外侧的部分区域形成第二电性硅层，且所述第二硅层(23)朝向外侧的部分区域形成第一电性重掺杂型硅层；形成一第一透明导电氧化层(26)于所述第二电性硅层上；以及分别形成一第一电极层(28)与一第二电极层(29)于所述第一透明导电氧化层(26)与所述第一电性重掺杂型硅层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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