[发明专利]一种磁性随机存储单元阵列、存储器及其读写方法有效
| 申请号： | 201010226272.5 | 申请日： | 2010-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN102314927A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 王译;李海;韩秀峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | G11C7/06 | 分类号： | G11C7/06;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种磁性随机存储器，包括磁性随机存储单元阵列及其读写电路，所述阵列包括：布设在第一层的晶体管阵列；第二层的晶体管源极电极和漏极电极；第三层的源线和漏极输出电极；第四层的非磁性金属线，非磁性金属线的上表面设置磁性隧道结；以及磁性隧道结之上层次的第一位线和第二位线，所述第一位线与磁性隧道结的顶电极接触，第二位线通过导通孔与所述非磁性金属线连通；其中，第三层和第四层直接接触，其余相邻层次间均有隔离层。本发明还提供了相应的读写方法。本发明具有读写分离机制，能够很好支持Rashba存储单元；有利于提高存储密度、降低器件功耗、提高数据写入速度和可靠性；并且制作工序较少，工艺较简单。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁性 随机 存储 单元 阵列 存储器 及其 读写 方法 | ||
【主权项】：
一种磁性随机存储单元阵列，包括：布设在第一层的晶体管阵列，晶体管阵列中埋设有字线，每一条字线控制一行晶体管的栅极；布设在第二层的晶体管源极电极和漏极电极；布设在第三层的源线和漏极输出电极；布设在第四层的非磁性金属线，每条非磁性金属线与一列漏极输出电极直接接触，非磁性金属线的上表面设置磁性隧道结，所述磁性隧道结与漏极输出电极一一对应；以及布设在磁性隧道结之上层次的第一位线和第二位线，每条所述第一位线直接与一列磁性隧道结的顶电极接触，所述第二位线平行于第一位线，并通过导通孔与所述非磁性金属线连通；上述各个层次中，第三层和第四层直接接触，其余相邻层次间均设置有隔离层。
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