[发明专利]一种用于定向凝固法生长硅单晶的双层坩埚无效
| 申请号： | 201010224991.3 | 申请日： | 2010-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN101886288A | 公开（公告）日： | 2010-11-17 |
| 发明（设计）人： | 李乔;马远 | 申请（专利权）人： | 浙江碧晶科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 312300 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于定向凝固法生长硅单晶的双层坩埚，包括外层坩埚和嵌套在外层坩埚内部的内层坩埚，内层坩埚包括内层坩埚主体和内层坩埚底部，外层坩埚包括外层坩埚主体和外层坩埚底部，其中，内层坩埚底部设有用于放置籽晶的籽晶套管，外层坩埚底部设有防渗漏空腔，在防渗漏空腔内放置有防渗漏剂；内层坩埚主体内部空腔与防渗漏空腔通过籽晶套管内部空腔连通。防渗漏剂与硅不反应且不互溶，并且其密度大于2.4g/cm3，熔融温度低于1410℃。本发明的双层坩埚能有效解决籽晶放置问题，实现定向凝固法生长硅单晶；同时还能在最大程度上避免了硅熔液从籽晶套管处泄漏，而且成本低，结构简单，易于加工。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 定向 凝固 生长 硅单晶 双层 坩埚 | ||
【主权项】：
一种用于定向凝固法生长硅单晶的双层坩埚，其特征在于：包括外层坩埚和嵌套在所述的外层坩埚内部的内层坩埚，所述的内层坩埚包括内层坩埚主体和内层坩埚底部，所述的外层坩埚包括外层坩埚主体和外层坩埚底部，其中，所述的内层坩埚底部设有用于放置籽晶的籽晶套管，所述的外层坩埚底部设有防渗漏空腔，在所述的防渗漏空腔内放置有防渗漏剂；所述的内层坩埚主体内部空腔与所述的防渗漏空腔通过所述的籽晶套管内部空腔连通；所述的防渗漏剂为熔融温度低于1410℃、密度大于2.4g/cm3、且在1000～2000℃下与硅不反应且不互溶的物质。
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