[发明专利]VB族元素掺杂CaCu3Ti4O12基压敏材料及制备方法有效
申请号: | 201010223379.4 | 申请日: | 2010-07-08 |
公开(公告)号: | CN101880159A | 公开(公告)日: | 2010-11-10 |
发明(设计)人: | 刘来君;吴枚霞;方亮;杨曌;胡长征 | 申请(专利权)人: | 桂林理工大学 |
主分类号: | C04B35/462 | 分类号: | C04B35/462;C04B35/622 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 541004 广西壮族*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | 本发明公开了一种VB族元素掺杂CaCu3Ti4O12基压敏材料及制备方法。其化学组成通式为:CaCu3Ti4-xBxO12,其中:B为化学元素周期表中VB族元素的一种或者几种的组合,x=0.001~1。将碳酸钙、氧化铜、五氧化二钒、五氧化二铌、五氧化二钽,按化学计量比CaCu3Ti4-xBxO12(x=0.001~1;B为化学元素周期表中VB族元素的一种或者几种的组合)配料,经过球磨、煅烧、二次球磨、造粒、成型、排胶、高温烧结等工序,最终制备具有高介电常数和高压敏特性的钙铜钛氧基陶瓷。本发明通过采用了+5价元素部分取代+4价钛元素,补偿了烧结过程中铜离子和钛离子的化合价变化,导致电压梯度低和漏电流大。降低了材料的本征电导,提高了材料的电压梯度。 | ||
搜索关键词: | vb 元素 掺杂 cacu sub ti 12 基压敏 材料 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种VB族元素掺杂CaCu3Ti4O12基压敏材料,其特征在于基压敏材料的化学组成通式为:CaCu3Ti4-xBxO12,其中:B为化学元素周期表中VB族元素的一种或者几种的组合,x=0.001~1。
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