[发明专利]记忆体单元及相关记忆体装置有效

专利信息
申请号: 201010204760.6 申请日: 2010-06-08
公开(公告)号: CN102280137A 公开(公告)日: 2011-12-14
发明(设计)人: 张顺志;钟明良;陈柏颖;黄崇铭 申请(专利权)人: 奇景光电股份有限公司;财团法人成大研究发展基金会
主分类号: G11C11/40 分类号: G11C11/40
代理公司: 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 代理人: 寿宁;张华辉
地址: 中国台湾台南县*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明是有关于一种记忆体单元,其包括一对子单元。每一子单元包括一存取晶体管、一储存晶体管以及一隔离晶体管,其依序借由连接源极/漏极而串联耦接在一起。隔离晶体管是共享使用于一邻近记忆体单元的子单元,且是一直关闭的,其中储存晶体管是一直导通的。字符线(wordline)耦接至每一子单元的存取晶体管的栅极,而互补位线(complementary bitlines)分别耦接至该对子单元的存取晶体管的源极/漏极,因此借由存取晶体管,可于相应的位线与储存晶体管之间存取数据位。
搜索关键词: 记忆体 单元 相关 装置
【主权项】:
一种记忆体单元,其特征在于包含:一对子单元,每一该子单元包括一存取晶体管、一储存晶体管以及一隔离晶体管,其依序借由连接源极/漏极而串联耦接在一起,其中,该隔离晶体管是共享使用于一邻近记忆体单元的该子单元,且该隔离晶体管是一直关闭的,且该储存晶体管是一直导通的;一字符线,耦接至每一该子单元的存取晶体管的一栅极;及二互补的位线,其分别耦接至该对子单元的存取晶体管的源极/漏极,因此借由该存取晶体管,可于相应的该位线与该储存晶体管之间存取数据位。
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