[发明专利]存储装置和存储器有效
| 申请号： | 201010201355.9 | 申请日： | 2010-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN101923889A | 公开（公告）日： | 2010-12-22 |
| 发明（设计）人： | 山根一阳;细见政功;鹿野博司;大森广之;五十岚;山元哲也;别所和宏;肥后丰;大石雄纪;楠真一郎 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | G11C11/02 | 分类号： | G11C11/02;G11C11/06 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴孟秋;梁韬 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了存储装置和存储器。存储装置包括：存储层，基于磁性材料的磁化状态来保持信息；第一中间层和第二中间层，被设置为夹置存储层并且均由绝缘体形成；第一固定磁性层，被设置在第一中间层的与存储层相对的侧上；第二固定磁性层，被设置在第二中间层的与存储层相对的侧上；以及非磁性导体层，被设置在第一中间层或者第二中间层和存储层之间，存储装置被配置为，在堆叠方向上向其注入自旋极化电子以改变存储层的磁化方向，从而将信息存储在存储层中。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 装置 存储器 | ||
【主权项】：
一种存储装置，包括：存储层，基于磁性材料的磁化状态保持信息，第一中间层和第二中间层，被设置为夹置所述存储层，并且均由绝缘体形成，第一固定磁性层，被设置在所述第一中间层的与所述存储层相对的侧上，第二固定磁性层，被设置在所述第二中间层的与所述存储层相对的侧上，以及非磁性导体层，被设置在所述第一中间层或所述第二中间层与所述存储层之间，所述存储装置被配置为在堆叠方向被注入自旋极化电子，以改变所述存储层的磁化方向，从而将信息存储在所述存储层中。
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