[发明专利]一种钠循环法生产太阳能级多晶硅的工艺方法无效

专利信息
申请号: 201010198097.3 申请日: 2010-06-04
公开(公告)号: CN102267697A 公开(公告)日: 2011-12-07
发明(设计)人: 刘新林 申请(专利权)人: 刘新林
主分类号: C01B33/033 分类号: C01B33/033;C01D3/02;C01B33/10;C30B29/06
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 221000 江苏省徐州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种钠循环法生产太阳能级多晶硅的工艺方法,将氟硅酸钠Na2SiF6加热分解生成四氟化硅SiF4气体和氟化钠NaF;金属钠Na高温汽化成钠Na蒸汽;使四氟化硅SiF4气体和钠Na蒸汽进入反应炉,生成高纯度硅粉,并进入第一收集器高温熔融成多晶硅成品;其它混合气体进入第二收集器,使氟化钠NaF和未反应的钠Na沉积并加热分离;其它混合气体进入第三收集器降温冷却,收集剩余的四氟化硅SiF4气体加水溶解成氟硅酸H2SiF6溶液;剩余的物质喷淋处理;该钠循环法生产太阳能级多晶硅的生产工艺简单,无有毒气体排放,原料来源广泛廉价,符合国家循环经济的概念,并能够将产生的副产品有效利用,大大节省了生产成本,有效促进了太阳能光伏产业的发展。
搜索关键词: 一种 循环 生产 太阳 能级 多晶 工艺 方法
【主权项】:
一种钠循环法生产太阳能级多晶硅的工艺方法,其特征是:将氟硅酸钠Na2SiF6放入反应器,以300℃‑800℃的温度加热分解1‑5小时,生成四氟化硅SiF4气体和副产品氟化钠NaF,氟化钠NaF冷却成为固体后可以卖出;将高纯度金属钠Na在反应器中,加高温800℃‑1000℃汽化成钠Na蒸汽;同时使四氟化硅SiF4气体和高纯度钠Na蒸汽按1∶4反应式量比沿管道进入反应炉,生成高纯度硅粉;高纯度硅粉进入第一收集器,控制温度在1000℃‑1600℃之间,将粉末状高纯度硅Si高温熔融成块,制成多晶硅成品;其它混合气体进入第二收集器,通过控制温度在800℃‑100℃,使氟化钠NaF和未反应的钠Na沉积,再将氟化钠NaF和钠Na加热分离,氟化钠NaF作为副产品卖出;其它混合气体进入第三收集器,降温到10℃‑0℃冷却,收集剩余的四氟化硅SiF4气体,加水溶解成氟硅酸H2SiF6溶液卖出;剩余的物质喷淋处理。
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