[发明专利]校准标准片的制备方法及用该标准片进行校准的方法有效
| 申请号： | 201010197508.7 | 申请日： | 2010-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN102279516A | 公开（公告）日： | 2011-12-14 |
| 发明（设计）人： | 王雷 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F9/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种校准标准片的制备方法，所述校准标准片用于测量纳米级别尺寸的测量设备的校准，其特征在于，包括如下步骤：1)制备一块光刻掩膜版，所述光刻掩膜版的两个以上不同位置放置有相同的测试图形；2)采用不同曝光条件，用所述光刻掩膜版在同一硅片的不同位置曝光，而后显影刻蚀，即为校准标准片。本发明中通过对这一系列测量图形进行测量作为校准标准，可以大大提高设备的测量精度。同时测量图形的差异是通过不同照明条件产生，在普通半导体厂即可实现生产，极大降低了标准样片的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 校准 标准 制备 方法 进行 | ||
【主权项】：
一种校准标准片的制备方法，所述校准标准片用于测量纳米级别尺寸的测量设备的校准，其特征在于，包括如下步骤：1)制备一块光刻掩膜版，所述光刻掩膜版的两个以上不同位置放置有相同的测试图形；2)采用至少两个使MEEF值不同的曝光条件，用所述光刻掩膜版在同一硅片的不同位置曝光，而后显影刻蚀，所得硅片即为校准标准片。
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