[发明专利]照射装置及半导体器件制造方法无效
| 申请号： | 201010196873.6 | 申请日： | 2010-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN101930907A | 公开（公告）日： | 2010-12-29 |
| 发明（设计）人： | 月原浩一 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/268 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 陈桂香;武玉琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了照射装置及半导体器件制造方法，所述照射装置包括：激光源；偏振分光部，用于把从激光源出射的激光分成偏振方向彼此不同的第一线偏振光和第二线偏振光；光束分割部，用于将第一线偏振光或第二线偏振光分割成多条光束；四分之一波片阵列，其由用于把所述光束的一部分转换成右旋圆偏振光的多个第一四分之一波片和用于把所述光束的另一部分转换成左旋圆偏振光的多个第二四分之一波片构成，所述第一四分之一波片和所述第二四分之一波片在垂直于光轴的第一方向上交替地布置着；以及投影光学系统，用于把所述右旋圆偏振光和所述左旋圆偏振光聚集到被照射的照射面上。本发明能够将具有均匀强度分布的激光束照射至照射面上。 | ||
| 搜索关键词： | 照射 装置 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种照射装置，其包括：激光源；偏振分光部，其用于把从所述激光源出射的激光分成偏振方向彼此不同的第一线偏振光和第二线偏振光；光束分割部，其用于将所述第一线偏振光或所述第二线偏振光分割成多条光束；四分之一波片阵列，其由用于把所述光束的一部分转换成右旋圆偏振光的多个第一四分之一波片和用于把所述光束的另一部分转换成左旋圆偏振光的多个第二四分之一波片构成，所述第一四分之一波片和所述第二四分之一波片在垂直于光轴的第一方向上交替地布置着；以及投影光学系统，其用于把所述右旋圆偏振光和所述左旋圆偏振光聚集到被照射的照射面上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司，未经索尼公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010196873.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：生产外延涂布的半导体晶片的方法
- 下一篇：转接单元内置型真空互锁室
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
