[发明专利]一种室温下高光电响应硅探测器的制备方法无效
| 申请号： | 201010191164.9 | 申请日： | 2010-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN101887930A | 公开（公告）日： | 2010-11-17 |
| 发明（设计）人： | 韩培德 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种室温下高光电响应硅探测器的制备方法，其特征在于，该方法是在n型Si衬底迎光面制备具有杂质深能级的重掺杂n型Si层，在该重掺杂n型Si层上制备透明导电膜，再在该透明导电膜上制备欧姆接触n电极作为第一电极；在n型Si衬底背面或迎光面制备肖特基电极作为第二电极，或者在n型Si衬底背面或迎光面形成p型Si区域，再在该p型Si区域上制备欧姆接触p电极作为第二电极。利用本发明，可以大大提高硅探测器的光电响应，即提高灵敏度，并使探测范围向红外光区域拓展。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 室温 光电 响应 探测器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种室温下高光电响应硅探测器的制备方法，其特征在于，该方法是在n型Si衬底迎光面制备具有杂质深能级的重掺杂n型Si层，在该重掺杂n型Si层上制备透明导电膜，再在该透明导电膜上制备欧姆接触n电极作为第一电极；在n型Si衬底背面或迎光面制备肖特基电极作为第二电极，或者在n型Si衬底背面或迎光面形成p型Si区域，再在该p型Si区域上制备欧姆接触p电极作为第二电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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