[发明专利]用于在双重图案化光刻工艺中提供抗蚀剂对准标记的设备和方法无效
| 申请号: | 201010190488.0 | 申请日: | 2010-05-26 |
| 公开(公告)号: | CN101900938A | 公开(公告)日: | 2010-12-01 |
| 发明(设计)人: | M·A·多特柴沃;M·杜萨;R·J·F·范哈恩;H·西韦尔;R·W·范德赫杰登 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司;ASML控股股份有限公司 |
| 主分类号: | G03F7/00 | 分类号: | G03F7/00;G03F9/00 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王波波 |
| 地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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| 摘要: | 本发明公开了一种用于在双重图案化光刻工艺中提供抗蚀剂对准标记的设备和方法。在所述方法中,包括至少一个对准标记的第一抗蚀剂层形成在衬底上。在对第一抗蚀剂层进行显影之后,第二抗蚀剂层沉积到第一抗蚀剂层上,从而产生平坦的顶表面(即没有拓扑)。通过适当地焙烤第二抗蚀剂层,对称的对准标记形成在第二抗蚀剂层中,且与第一抗蚀剂中的对准标记有小的偏置误差或没有偏置误差。可以通过适当地调整所述第一和第二抗蚀剂层的各自的厚度、涂覆工艺参数和焙烤工艺参数来改善第二抗蚀剂中形成的对准标记的对称性。 | ||
| 搜索关键词: | 用于 双重 图案 光刻 工艺 提供 抗蚀剂 对准 标记 设备 方法 | ||
【主权项】:
一种方法,所述方法包括以下步骤:用第一抗蚀剂层对衬底进行第一涂覆;通过使用图案化的辐射束来曝光所述第一抗蚀剂层;对所述被曝光的第一抗蚀剂层进行显影,以形成具有一个或更多的第一对准标记的第一光刻图案;冻结所述第一光刻图案;用第二抗蚀剂层对所述被冻结的第一光刻图案进行第二涂覆;和固化所述第二抗蚀剂层,基于所述一个或更多的第一对准标记形成一个或更多的第二对准标记。
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