[发明专利]衬底、垂直结构LED芯片及制备方法有效
| 申请号： | 201010190330.3 | 申请日： | 2010-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN102024893A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 张戈 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518118 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管的衬底及其制备方法，在此基础上进一步提供一种垂直结构LED芯片及其制备方法。本发明的发光二极管的衬底，包括基体，所述基体具有用于生长发光二极管的第一面，该衬底还包括包覆所述基体的导电包覆层，所述导电包覆层包括图形化的导电包覆区，所述导电包覆区位于所述第一面上并露出部分所述基体。本发明通过在基体上包覆一包覆导电包覆层形成具有导电功能的衬底，在采用该衬底制备垂直结构LED芯片时，不需要采用激光剥离技术和粘贴另一导电层的技术就可以实现，具有工艺简单和较低成本的优势。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 垂直 结构 led 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管的衬底，包括基体，所述基体具有用于生长发光二极管的第一面，其特征在于，还包括包覆所述基体的导电包覆层，所述导电包覆层包括图形化的导电包覆区，所述导电包覆区位于所述第一面上并露出部分所述基体。
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