[发明专利]一种GaAs单结太阳能电池无效
申请号: | 201010189176.8 | 申请日: | 2010-06-02 |
公开(公告)号: | CN101859807A | 公开(公告)日: | 2010-10-13 |
发明(设计)人: | 宋明辉;吴志浩 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | H01L31/055 | 分类号: | H01L31/055;H01L31/052;H01L31/18 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 李智 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种GaAs单结太阳能电池,在电池外延层的表面形成有电极和双层减反膜,双层减反膜的上层膜采用折射率小于下层膜的材料,下层膜采用折射率位于上层膜和窗口层折射率之间的光致发光材料。光致发光材料能够吸收GaAs不能吸收波段的太阳光,并将这部分光转化为能被GaAs所吸收的光,其最终结果是更宽波段的太阳光将被GaAs太阳能电池所吸收并转换为电能,极大地拓宽了GaAs单结太阳能电池对太阳光的吸收波段,提高了电池的光电转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 gaas 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种GaAs单结太阳能电池,包括依次由缓冲层、GaAs p-n结、窗口层及欧姆接触层构成的电池外延层,在欧姆接触层的表面局部区域形成有电极,局部区域以外的部分沉积有双层减反膜,双层减反膜的上层膜采用折射率小于下层膜的材料,其特征在于,双层减反膜的下层膜采用折射率位于上层膜和窗口层折射率之间的光致发光材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学,未经华中科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010189176.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的