[发明专利]可控氧化硅去除速率的化学机械抛光液有效
| 申请号： | 201010189145.2 | 申请日： | 2010-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN102268224A | 公开（公告）日： | 2011-12-07 |
| 发明（设计）人： | 王良咏;宋志棠;刘波;刘卫丽;封松林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 许亦琳;余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于氧化硅介电材料的化学机械抛光液，此化学机械抛光液以抛光液总重量为基准，包含下列重量百分比的原料组分：氧化硅抛光颗粒0.2-30wt％；表面活性剂0.01-4wt％；有机添加剂0.01-5wt％；pH调节剂和水性介质为余量；所述化学机械抛光液的pH值范围为9-12。本发明的化学机械抛光液氧化硅薄膜去除速率可控，可满足半导体应用中氧化硅介电材料在CMP工艺中的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 可控 氧化 去除 速率 化学 机械抛光 | ||
【主权项】：
一种用于氧化硅介电材料的化学机械抛光液，此化学机械抛光液以抛光液总重量为基准，包含下列重量百分比的原料组分：氧化硅抛光颗粒 0.2 30wt％表面活性剂 0.01 4wt％有机添加剂 0.01 5wt％pH调节剂和水性介质 余量；所述化学机械抛光液的pH值范围为9 12。
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