[发明专利]制造磁性器件的方法和设备无效
| 申请号： | 201010185945.7 | 申请日： | 2010-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN101901868A | 公开（公告）日： | 2010-12-01 |
| 发明（设计）人： | 桑杰·辛德;小平吉三;古用太郎 | 申请（专利权）人： | 佳能安内华股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供了用于制造磁性器件的方法和设备。使用非有机材料如Ta的掩模，通过碳氢化合物与惰性气体如N2的混合气体来蚀刻该器件中的磁性和/或非磁性层。结果，在研究的实例中，MTJ锥角接近垂直。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 磁性 器件 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种制造磁性器件的方法，该方法包括：制备包括至少一个磁性层或反磁性层的结构；和使用非有机材料的掩模，通过碳氢化合物气体与惰性气体的混合气体的等离子体加工所述结构，以干法蚀刻所述磁性层或反磁性层。
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