[发明专利]一种纳米二氧化锡气敏材料的制备方法无效
| 申请号： | 201010185570.4 | 申请日： | 2010-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN101857264A | 公开（公告）日： | 2010-10-13 |
| 发明（设计）人： | 张海娇;焦正;王琳;吴若飞;谈志金;施文明 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | C01G19/02 | 分类号： | C01G19/02;C01B33/12 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 顾勇华 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种纳米二氧化锡气敏材料的制备方法，属无机半导体传感器材料制备工艺技术领域。本发明采用二水氯化亚锡(SnCl2·2H2O)和介孔二氧化硅(MCM-41)为原料，两者的用量按质量比即SiO2∶SnO2＝1∶(0.315～0.629)为计量基准；先按已知现有技术制得介孔二氧化硅(MCM-41)；将SnCl2·2H2O高温熔化后与介孔二氧化硅混合，并在100℃下使其反应；然后在500～700℃下焙烧2～6小时，得到SnO2/MCM-41复合物；然后用1～3mol/L的NaOH溶液或5～10wt％的HF溶液进行处理，搅拌过夜，以除去介孔硅模板；经离心分离、洗涤；最终制得纯相SnO2气敏材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 氧化 锡气敏 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种纳米二氧化锡气敏材料的制备方法，其特征在于该方法的具体步骤为：(1)将二水合氯化亚锡和介孔二氧化硅按SiO2∶SnO2＝1∶(0.315～0.629)的质量比计量；(2)将介孔二氧化硅在真空条件下100℃下活化1小时，备用；(3)将SnCl2·2H2O于100℃中熔化后，加入步骤(2)所得活化的介孔二氧化硅，快速搅拌密封，并在100℃恒温下反应12小时，得到混合物；(4)将步骤(3)所得混合物在500-700℃下焙烧2-6小时，得到二氧化锡/介孔二氧化硅复合物材料；(5)将步骤(4)所得复合物材料加入到浓度为1～3mol/L的氢氧化钠溶液或5～10wt％的HF溶液中，不断搅拌，过夜；以去除介孔二氧化碳模板；然后进行离心分离，并用去离子水和乙醇洗涤多次，烘干后即得到产物纳米二氧化锡气敏材料。
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