[发明专利]一种纳米二氧化锡气敏材料的制备方法无效

专利信息
申请号: 201010185570.4 申请日: 2010-05-26
公开(公告)号: CN101857264A 公开(公告)日: 2010-10-13
发明(设计)人: 张海娇;焦正;王琳;吴若飞;谈志金;施文明 申请(专利权)人: 上海大学
主分类号: C01G19/02 分类号: C01G19/02;C01B33/12
代理公司: 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 代理人: 顾勇华
地址: 200444*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 纳米 氧化 锡气敏 材料 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种纳米二氧化锡气敏材料的制备方法,其特征在于该方法的具体步骤为:

(1)将二水合氯化亚锡和介孔二氧化硅按SiO2∶SnO2=1∶(0.315~0.629)的质量比计量;

(2)将介孔二氧化硅在真空条件下100℃下活化1小时,备用;

(3)将SnCl2·2H2O于100℃中熔化后,加入步骤(2)所得活化的介孔二氧化硅,快速搅拌密封,并在100℃恒温下反应12小时,得到混合物;

(4)将步骤(3)所得混合物在500-700℃下焙烧2-6小时,得到二氧化锡/介孔二氧化硅复合物材料;

(5)将步骤(4)所得复合物材料加入到浓度为1~3mol/L的氢氧化钠溶液或5~10wt%的HF溶液中,不断搅拌,过夜;以去除介孔二氧化碳模板;然后进行离心分离,并用去离子水和乙醇洗涤多次,烘干后即得到产物纳米二氧化锡气敏材料。

2.根据权利要求1所述的纳米二氧化锡气敏材料的制备方法,其特征在于所述的介孔二氧化硅的制备方法为:将表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵溶解于去离子水中,搅拌至CTAB完全溶解,接着加入硅酸钠,在常温搅拌1小时后,调节pH值为9.5,然后搅拌2小时,放入高压反应釜中,一定温度下晶化48小时;最后将固体产物过滤、洗涤、烘干,并在550℃空气气氛中焙烧6小时,得到介孔二氧化硅。

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