[发明专利]用来对基板进行化学机械抛光的方法有效
申请号: | 201010184693.6 | 申请日: | 2010-04-28 |
公开(公告)号: | CN101875182A | 公开(公告)日: | 2010-11-03 |
发明(设计)人: | 刘振东;郭毅 | 申请(专利权)人: | 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司 |
主分类号: | B24B37/04 | 分类号: | B24B37/04;H01L21/304 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陈哲锋;周承泽 |
地址: | 美国特*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种用来对基板进行化学机械抛光的方法,该方法包括:提供一种基板,所述基板包含二氧化硅;提供一种化学机械抛光组合物,该化学机械抛光组合物包含:水,磨料;式(I)所示的双季阳离子;以及任选的季烷基铵化合物;提供化学机械抛光垫;在所述化学机械抛光垫和基板之间的界面处建立动态接触;以及在所述化学机械抛光垫和基板之间的界面处或界面附近将所述化学机械抛光组合物分配在所述化学机械抛光垫上;所述化学机械抛光组合物的pH为2-6;所述化学机械抛光组合物的二氧化硅去除速率至少为1,500/分钟。 | ||
搜索关键词: | 用来 进行 化学 机械抛光 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用来对基板进行化学机械抛光的方法,该方法包括:提供基板,所述基板包含二氧化硅;提供化学机械抛光组合物,所述化学机械抛光组合物包含:水,0.1重量%-30重量%的平均粒度≤100纳米的磨料;0.005重量%-0.5重量%的式(I)所示的双季阳离子:
其中各个X独立地选自N和P;其中R1是碳链长度为1-15个碳原子的饱和或不饱和、任选取代的芳基、烷基、芳烷基或烷芳基;其中R2,R3,R4,R5,R6和R7各自独立地选自碳链长度为1-15个碳原子的饱和或不饱和、任选取代的芳基、烷基、芳烷基或烷芳基;0-0.1重量%的季烷基铵化合物;提供化学机械抛光垫;以0.1-5psi的向下作用力在化学机械抛光垫和基板之间的界面处建立动态接触;以及在所述化学机械抛光垫和基板之间的界面处或界面附近,将所述化学机械抛光组合物分配在所述化学机械抛光垫上;其中所述化学机械抛光组合物的pH为2-6;所述化学机械抛光组合物的二氧化硅去除速率至少为1,500
分钟。
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