[发明专利]基于声子的物理属性的超导电性光致调制方法和装置无效

专利信息
申请号: 201010184640.4 申请日: 2010-05-20
公开(公告)号: CN102254620A 公开(公告)日: 2011-11-23
发明(设计)人: 李强 申请(专利权)人: 田多贤
主分类号: H01B13/00 分类号: H01B13/00;H01B12/00
代理公司: 北京金恒联合知识产权代理事务所 11324 代理人: 李强
地址: 100083 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明人在确认了声子的物理属性的基础上,在现有物理理论的框架内,明确了晶体电子对的配对机制和结合能。提供了一种超导化合物制造方法,包括:在超导化合物中形成能带系统,其包括上能带部分E2(k)和下能带部分E1(k),且满足E2(k)-E1(k)≤hvM,其中vM是化合物中的声子振动模的最大频率,且其中至少有一对k2和k1值满足:k2≈k1±vO/c以及E2(k2)-E1(k1)≈hvO,c是光速,vO是所述超导化合物的一个光学声子频率,且E2(k2)≈所述超导化合物的费米能级(EF)。还提供了用上述方法制成的化合物以及一种晶体导电/超导器件的光致调制方法,包括:把光照射到晶体/超导晶体(101)上;其中所述光包含与具有所述晶体/超导晶体(101)中的至少一个光学声子模的频率(vO)相匹配的频率的光分量。
搜索关键词: 基于 物理 属性 超导电性 调制 方法 装置
【主权项】:
超导化合物的制造方法,其特征在于包括:在所述超导化合物中形成一个能带系统,该能带系统包括一个上能带部分E2(k)和位于所述上能带下方的一个下能带部分E1(k),所述上能带部分和所述下能带部分满足E2(k)‑E1(k)≤hνM,其中νM是所述超导化合物中的声子振动模的最大频率,且其中至少有一对k2和k1值满足:k2≈k1±νO/c,以及E2(k2)‑E1(k1)≈hνO,其中c是光速,νO是所述超导化合物的一个光学声子频率,且E2(k2)≈所述超导化合物的费米能级(EF)。
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