[发明专利]一种具备杂质深能级的晶体硅光伏电池的制备方法

摘要

本发明公开了一种具备杂质深能级的晶体硅光伏电池的制备方法，包括：步骤1：在弱n型Si衬底表面制绒，形成绒面；步骤2：在该绒面上制备具有杂质深能级的n型Si层；步骤3：在具有杂质深能级的n型Si层上覆盖p型半导体薄膜，与n型Si层形成pn结；步骤4：对形成pn结的掺杂Si片进行高温退火处理，以激活杂质；步骤5：在p型半导体薄膜上制备p电极，在n型Si层上制备第一n电极，在弱n型Si衬底下表面制备第二n电极。利用本发明，以实现Si对红外光的更多吸收；以实现对电池内建电场的调节，使其覆盖具有杂质深能级的n型Si层，从而分离该区域的光生电子—空穴对；以实现在杂质深能级上光生载流子的输出问题。从而提高了电池整体的光伏效率。

主权项

一种具备杂质深能级的晶体硅光伏电池的制备方法，其特征在于，该方法包括：步骤1：在弱n型Si衬底表面制绒，形成绒面；步骤2：在该绒面上制备具有杂质深能级的n型Si层；步骤3：在具有杂质深能级的n型Si层上覆盖p型半导体薄膜，与n型Si层形成pn结；步骤4：对形成pn结的掺杂Si片进行高温退火处理，以激活杂质；步骤5：在p型半导体薄膜上制备p电极，在n型Si层上制备第一n电极，在弱n型Si衬底上下表面制备第二n电极。