[发明专利]改善微机电系统传感薄膜空腔侧壁坡度的干法刻蚀方法无效
| 申请号： | 201010180072.0 | 申请日： | 2010-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN102249179A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 吴智勇;方精训 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王函 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善微机电系统传感薄膜空腔侧壁坡度的干法刻蚀方法，包括如下步骤：第一步，在刻蚀微机电系统传感薄膜空腔之前，预先将空腔在晶圆上图形曝光的尺寸做的比设计尺寸小，进行光刻曝光；第二步，采用干法刻蚀把空腔刻蚀出一个浅槽；第三步，在同一个刻蚀腔中各向同性刻蚀光刻胶；第四步，循环使用第二步和第三步工艺；第五步，满足空腔的深度和开口度后停止刻蚀，形成有阶梯的空腔。该方法通过把微机电系统传感薄膜空腔的侧壁坡度做得平缓，扩大后续牺牲层的填充和湿法刻蚀工艺的窗口，牺牲层容易填充平缓，湿法刻蚀中药液容易进入腔体。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 微机 系统 传感 薄膜 空腔 侧壁 坡度 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种改善微机电系统传感薄膜空腔侧壁坡度的干法刻蚀方法，其特征在于，包括如下步骤：第一步，在刻蚀微机电系统传感薄膜空腔之前，预先将空腔在晶圆上图形曝光的尺寸做的比设计尺寸小，进行光刻曝光；第二步，采用干法刻蚀把空腔刻蚀出一个浅槽；第三步，在同一个刻蚀腔中各向同性刻蚀光刻胶；第四步，循环使用第二步和第三步工艺；第五步，满足空腔的深度和开口度后停止刻蚀，形成有阶梯的空腔。
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