[发明专利]一种采用Al2O3作为栅极侧墙的方法无效
| 申请号： | 201010179376.5 | 申请日： | 2010-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN101866840A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 徐岩;孙清清;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种采用Al2O3作为栅极侧墙的方法。采用原子层淀积工艺，不仅可以控制Al2O3栅极侧墙的横向尺寸，减小侧墙厚度，而且可以提高淀积Al2O3的均匀性。进一步的，采用低温原子层淀积工艺，既可以减少原子层淀积Al2O3的时间，又可以提高后续Al2O3的干法刻蚀速率，从而降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 al sub 作为 栅极 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件栅极侧墙的制备方法，采用高介电常数材料作为半导体器件的栅极侧墙；其特征在于，具体步骤如下：提供一个半导体衬底；在所述半导体衬底上形成有源区和多晶硅栅极；淀积一层高介电常数材料Al2O3；刻蚀所述高介电常数材料Al2O3，形成半导体器件的栅极侧墙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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