[发明专利]一种太阳能电池生产中非晶硅薄膜的沉积方法

摘要

本发明涉及一种在太阳能电池生产中非晶硅薄膜的沉积方法，该方法是采用隧道式结构形式的非晶硅薄膜沉积设备通过以下步骤实现的，首先电池在挂有电池挂片箱的传送导轨的带动下一次两片经进片台进入设备中，经缓冲仓室依次进入加热仓室中，分别经过温度由低至高的三次加热，三次加热后进入到P层沉积仓室中沉积P层，进入PI层混合沉积仓室沉积PI混合层、再进入六个I层沉积仓室，经过六次分别沉积形成I层，沉积形成I层后进入IN层混合沉积仓室沉积IN混合层，然后进入两个N层沉积仓室中两次沉积形成N层；最后经缓冲室、出片台出设备，进入下一工序设备中；在设备运行过程中真空系统通过连接到各个仓室的真空管道控制各个仓室的真空值，阀门将各个仓室隔开使各个仓室形成相对独立的空间，从而达到沉积非晶硅薄膜的目的。

主权项

一种太阳能电池生产中非晶硅薄膜的沉积方法，其特征在于：该方法是采用隧道式结构形式的非晶硅薄膜沉积设备包括进片台、出片台，缓冲仓室，加热仓室，P层沉积仓室、PI层混合沉积仓室、I层沉积仓室、IN层混合沉积仓室、N层沉积仓室，真空系统、真空管路、阀门，所述的缓冲仓室，加热仓室、P层沉积仓室、PI层混合沉积仓室、I层沉积仓室、IN层混合沉积仓室、N层沉积仓室构成非晶硅薄膜沉积设备主体，进片台和出片台设置在非晶硅薄膜沉积设备主体的两端，所述的真空系统设置在非晶硅薄膜沉积设备主体的下面，它通过其上设置的多个真空管路与非晶硅薄膜沉积设备主体上的各个仓室连通，所述的缓冲仓室、加热仓室、P层沉积仓室、PI层混合沉积仓室、I层沉积仓室、IN层混合沉积仓室、N层沉积仓室各个仓室之间通过阀门被间隔成相对独立的空间；该沉积方法的具体步骤是：电池在挂有电池挂片箱的传送导轨的带动下一次两片经进片台进入设备中，经缓冲仓室依次进入三个加热仓室中，分别经过温度由低至高的三次加热，加热温度为60℃、120℃、180℃，三次加热后进入到P层沉积仓室中沉积P层，进入PI层混合沉积仓室沉积PI混合层、再进入六个I层沉积仓室，经过六次分别沉积形成I层，沉积形成I层后进入IN层混合沉积仓室沉积IN混合层，然后进入两个N层沉积仓室中两次沉积形成N层；最后经缓冲室、出片台出设备，进入下一工序设备中；在设备运行过程中真空系统通过连接到各个仓室的真空管道控制各个仓室的真空值，阀门将各个仓室隔开使各个仓室形成相对独立的空间，从而达到沉积非晶硅薄膜的目的。