[发明专利]一种用于横向诱导晶化低温多晶硅薄膜的多层膜结构无效
| 申请号： | 201010175524.6 | 申请日： | 2010-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN101819999A | 公开（公告）日： | 2010-09-01 |
| 发明（设计）人： | 赵淑云 | 申请（专利权）人： | 广东中显科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇 |
| 地址： | 528225 广东省佛山*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种用于横向诱导晶化低温多晶硅薄膜的多层膜结构，包括：衬底；位于该衬底上的非晶硅薄膜；位于该非晶硅薄膜上的低温氧化物层；穿透所述低温氧化物层且暴露出所述非晶硅薄膜的凹槽；位于所述暴露的非晶硅表面上的薄膜；其中，所述薄膜由镍硅氧化物制成。采用SR-Ni/Si氧化物作为薄膜材料，可有效地减少多晶硅膜中的镍残留，非常适合于MILC制作多晶硅。同时，在制作多晶硅物质时所允许的工艺误差也相对大，不仅提供了更宽的工艺窗口，还防止了不同的工艺参数对多晶硅TFT的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 横向 诱导 低温 多晶 薄膜 多层 膜结构 | ||
【主权项】：
一种用于横向诱导晶化低温多晶硅薄膜的多层膜结构，包括：衬底；位于该衬底上的非晶硅薄膜；位于该非晶硅薄膜上的低温氧化物层；穿透所述低温氧化物层且暴露出所述非晶硅薄膜的凹槽；位于所述暴露的非晶硅表面上的薄膜；其中，所述薄膜由镍硅氧化物制成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东中显科技有限公司，未经广东中显科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010175524.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：基于车载行车记录设备的车辆违章信息采集装置
- 下一篇：一种烟感检查器
- 同类专利
- 专利分类
