[发明专利]硅基麦克风有效
| 申请号： | 201010173213.6 | 申请日： | 2010-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN101835080A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | 葛舟 | 申请（专利权）人： | 瑞声声学科技(深圳)有限公司;瑞声微电子科技(常州)有限公司 |
| 主分类号： | H04R19/04 | 分类号： | H04R19/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518057 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种硅基麦克风，包括基底、与基底相连的阻挡层、与阻挡层连接的振膜，在基底和阻挡层的中心设有贯穿二者的空腔，所述振膜包括与阻挡层相连的边缘部和由边缘部围绕的振动主体，所述振膜的边缘部包括与阻挡层相连的高应力的氮化硅层和与氮化硅层相连的低应力的多晶硅层，所述振膜的振动主体仅包括低应力的多晶硅层。与现有技术相比，由于本发明振膜的边缘部由两层构成，其振动主体为单层结构，可明显地降低寄生电容，以提供产品的灵敏度；并且，也大大减少其他结构层高应力对薄膜产生的应力梯度，从而达到释放应力的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 麦克风 | ||
【主权项】：
一种硅基麦克风，包括基底、与基底相连的阻挡层、与阻挡层连接的振膜，在基底和阻挡层的中心设有贯穿二者的空腔，所述振膜包括与阻挡层相连的边缘部和由边缘部围绕的振动主体，其特征在于：所述振膜的边缘部包括与阻挡层相连的高应力的氮化硅层和与氮化硅层相连的低应力的多晶硅层，所述振膜的振动主体仅包括低应力的多晶硅层。
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