[发明专利]一种纳米间距平面电极的制备方法无效
申请号: | 201010172785.2 | 申请日: | 2010-05-14 |
公开(公告)号: | CN101834129A | 公开(公告)日: | 2010-09-15 |
发明(设计)人: | 贺德衍;刘德全;王琦;杨丰;乔丽;秦艳丽 | 申请(专利权)人: | 兰州大学 |
主分类号: | H01L21/28 | 分类号: | H01L21/28;D01D5/00 |
代理公司: | 兰州振华专利代理有限责任公司 62102 | 代理人: | 张晋 |
地址: | 730000 *** | 国省代码: | 甘肃;62 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开一种在微电子工程中制备电极的方法。本发明的纳米间距平面电极制备方法是首先采用静电纺丝装置制备出聚合物分子的电纺丝,再用基片材料收集电纺丝,使电纺丝附着于基片材料表面上,然后在附着有电纺丝的基片表面上用物理或者化学方法沉积一层导电介质薄膜,再将基片材料进行灼烧,去除其上的聚合物电纺丝,得到间距与纺丝直径相近的平面电极。本发明的方法可以得到极细线宽的电极,而且不会产生现有技术中因光的衍射和化学腐蚀产生的曲面问题,并有制备工艺简单、成本低廉的优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 纳米 间距 平面 电极 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种纳米间距平面电极的制备方法,其特征是首先采用静电纺丝装置制备出聚合物分子的电纺丝,用基片材料收集电纺丝,使电纺丝附着于基片材料表面上,然后在附着有电纺丝的基片表面上用物理或者化学方法沉积一层导电介质的薄膜,再将基片材料进行灼烧,去除其上的聚合物电纺丝,得到间距与纺丝直径相近的平面电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于兰州大学,未经兰州大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010172785.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:提高金属-氧化物半导体变容二极管的品质因子的方法
- 下一篇:一种负荷开关
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造