[发明专利]双极发光场效应晶体管有效
| 申请号： | 201010168735.7 | 申请日： | 2005-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN101847689A | 公开（公告）日： | 2010-09-29 |
| 发明（设计）人： | J·佐迈塞尔;H·西林豪斯;蔡丽丽;P·K-H·何;R·H·弗兰德 | 申请（专利权）人： | 剑桥企业有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/52;G09G3/32 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 任宗华 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 双极、发光晶体管，其包括与通过限定晶体管的沟道长度的距离L隔开的电子注入电极和空穴注入电极接触的有机半导体层，其中光从中发射的有机半导体层的区域离电子以及空穴注入电极二者的距离大于L/10。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种双极发光晶体管，其包括在注入电极和空穴注入电极之间的有机半导体区，当在偏置状况下操作时，所述有机半导体区能发光，在所述偏置状况下，负电子从电子注入电极注入到有机半导体区内，和正空穴从空穴注入电极注入到有机半导体区内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
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