[发明专利]一种磁隧道结氧化铝隧穿层的制备方法无效
| 申请号： | 201010168591.5 | 申请日： | 2010-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN101833956A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | 荆玉兰;唐晓莉;张怀武;苏桦;钟智勇 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G11B5/84 | 分类号： | G11B5/84 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种磁隧道结隧穿层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：①先镀制所需隧穿层总厚度2/5的金属Al层；②镀制完成后，放入氧氩比为1∶2的混合气体中，将金属Al层氧化为Al2O3；③当步骤②氧化完成后，在生成的Al2O3薄膜上继续沉积所需隧穿层总厚度3/5的金属Al层；④当步骤③镀制完成后，同样在氧氩比为1∶2的混合气体中，将步骤③镀制的金属Al层氧化为Al2O。该制备方法能克服现有技术中所存在的缺陷，生成完全氧化的氧化铝隧穿层，提高TMR效应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 隧道 氧化铝 隧穿层 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种磁隧道结隧穿层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：①先镀制所需隧穿层总厚度2/5的金属Al层；②镀制完成后，放入氧氩比为1∶2的混合气体中，将金属Al层氧化为Al2O3；③当步骤②氧化完成后，在生成的Al2O3薄膜上继续沉积所需隧穿层总厚度3/5的金属Al层；④当步骤③镀制完成后，同样在氧氩比为1∶2的混合气体中，将步骤③镀制的金属Al层氧化为Al2O。
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