[发明专利]一种高线性度且适合低电压工作的上变频混频器无效
申请号: | 201010165379.3 | 申请日: | 2010-04-30 |
公开(公告)号: | CN101873102A | 公开(公告)日: | 2010-10-27 |
发明(设计)人: | 罗可欣 | 申请(专利权)人: | 北京利云技术开发公司 |
主分类号: | H03D7/12 | 分类号: | H03D7/12 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 罗文群 |
地址: | 100091 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种高线性度且适合低电压工作的上变频混频器,属于集成电路技术领域。包括第一电流镜、第二电流镜、第三电流镜、第二放大器、一个电阻网络以及整流和偏置电路。输入信号通过放大器反馈加载到PMOS和NMOS电流镜的漏极,在低电压下保证输入信号能够有较大的摆幅而不被限幅,保证整体上变频混频器在低电压、大幅度信号输入条件下的线性度。本发明具有消除等效直流失调误差电压的功能,并且该功能几乎不影响到上混频器的线性度。 | ||
搜索关键词: | 一种 线性 适合 电压 工作 变频 混频器 | ||
【主权项】:
一种高线性度且适合低电压工作的上变频混频器,其特征在于该上变频混频器包括:第一电流镜,用于接收来自外部电源的第一偏置电压和第二偏置电压,以导通组成该电流镜的PMOS管,并输出第一电流和第二电流;所述的第一电流镜由四个PMOS管组成,为纵向两路对称结构,每路PMOS管中的一个PMOS管的漏极与下一个PMOS管的源极相连,位置相对称的PMOS管的栅极与同一个偏置电压相连,为共源共栅电流镜;第一放大器,用于接收外部电源的第三偏置电压,为组成该第一放大器的NMOS管提供偏置电压;接收外部电源的第一电压,并将该第一电压与该第一放大器输出电压的反馈电压进行比较和放大,得到第一输出电压;所述的第一放大器的两个输入端分别与第一电流镜的一个输出端及外部电源相连;第二放大器,用于接收外部电源的第三偏置电压,为组成该第二放大器的NMOS管提供偏置电压;接收外部电源的第二电压,并将该第二电压与该第二放大器输出电压的反馈电压进行比较和放大,得到第二输出电压;所述的第二放大器的两个输入端分别与第一电流镜的另一个输出端及外部电源相连;一个电阻网络,用于接收上述第一放大器和第二放大器的反馈电压,并转换为信号电流;所述的电阻网络由两个电阻串联组成,电阻网络的两端分别与第一电流镜的两个输出端相连;频率补偿电路,用于对上述的第一放大器和第二放大器的反馈环路提供频率补偿,所述的频率补偿电路由两个电阻和两个电容组成,为两路对称结构,每一路都由电阻串联电容组成;每一路的两端分别与上述的第一放大器和第二放大器的反馈电压输入端和输出端相连;第二电流镜,用于接收所述的第一电流镜输出的第一电流以及电阻网路的信号电流,通过构成第二电流镜的NMOS管折叠到输出端,产生第一跨导电流;接收所述的第一放大器输出的第一输出电压,为组成第二电流镜的下排NMOS管提供栅极偏置电压;接收外部电压的第四偏置电压,为组成第二电流镜的上排NMOS管提供栅极偏置电压;所述的第二电流镜由四个NMOS管组成,为纵向两路对称结构,每路NMOS管中的一个NMOS管的源极与下一个NMOS管的漏极相连,位置相对称的NMOS管的栅极与同一个偏置电压相连;第三电流镜,用于接收所述的第一电流镜输出的第二电流以及电阻网路的信号电流,通过构成第四电流镜的NMOS管折叠到输出端,产生第二跨导电流;接收所述的第二放大器输出的第二输出电压,为组成第三电流镜的下排NMOS管提供栅极偏置电压;接收外部电压的第三偏置电压,为组成第二电流镜的上排NMOS管提供栅极偏置电压;所述的第三电流镜由四个NMOS管组成,为纵向两路对称结构,每路NMOS管中的一个NMOS管的源极与下一个NMOS管的漏极相连,位置相对称的NMOS管的栅极与同一个偏置电压相连;整流和偏置电路,用于接收所述的第一跨导电流和第二跨导电流,经过整流后将第一跨导电流和第二跨导电流的频率变换成射频频率,将具有射频频率的第一跨导电流和第二跨导电流加载到负载电路,产生射频输出电压。
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