[发明专利]一种还原氧化石墨烯的制备方法与应用有效
| 申请号： | 201010159976.5 | 申请日： | 2010-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN101844760A | 公开（公告）日： | 2010-09-29 |
| 发明（设计）人： | 陈鹏磊;刘鸣华;姚平平 | 申请（专利权）人： | 中国科学院化学研究所 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅 |
| 地址： | 100080 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种还原氧化石墨烯薄膜及其制备方法与应用。本发明所提供的还原氧化石墨烯薄膜是以氧化石墨烯(graphene oxide，GO)在水、乙醇、甲醇、丙酮、乙腈、乙二醇，乙酸、甲酸、乙酸乙脂、吡啶、甲苯等极性溶剂或这些溶剂的混合溶剂中的溶液为原料，依次经过通电修复体系的构建、电子注入等步骤而制得的。本发明所得到的还原氧化石墨烯薄膜的电阻与未修复前的氧化石墨烯薄膜材料的电阻相比，降低了102～108倍。通过该方法所修复的RGO薄膜可以应用于光电响应器件等光电转换领域中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 还原 氧化 石墨 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种制备还原氧化石墨烯薄膜的方法，包括下述步骤：1)采用下述a)或b)中所述方法构建氧化石墨烯薄膜-间隙电极对；2)在步骤1)制备的氧化石墨烯薄膜-间隙电极对上施加电压，通过电子注入法对氧化石墨烯薄膜进行修复，得到还原氧化石墨烯薄膜；所述a)方法如下：先将间隙电极固定到固体基片上，以获得间隙电极对；再将氧化石墨烯溶液浇铸到所述固体基片上，待溶剂挥发后，即得到所述的氧化石墨烯薄膜-间隙电极对；所述b)方法如下：先将氧化石墨烯溶液浇铸到固体基片上，待溶剂挥发后，得到氧化石墨烯薄膜；然后在所述氧化石墨烯薄膜上固定间隙电极，以获得间隙电极对，即得到所述的氧化石墨烯薄膜-间隙电极对；其中，所述氧化石墨烯溶液由氧化石墨烯和极性溶剂组成。
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