[发明专利]一种辐射率可调的二氧化钒基复合薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201010152404.4 | 申请日： | 2010-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN101817644A | 公开（公告）日： | 2010-09-01 |
| 发明（设计）人： | 高彦峰;康利涛;罗宏杰;杜靖;张宗涛 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C03C17/245 | 分类号： | C03C17/245;C23C14/34 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 许亦琳;余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种辐射率可调的二氧化钒基复合薄膜及其制备方法。该二氧化钒基复合薄膜包括透明衬底和复合薄膜；所述的复合薄膜包括位于透明衬底之上的二氧化钒薄膜和位于二氧化钒薄膜之上的导电金属薄膜；所述的复合薄膜还包括无机透明薄膜；所述的导电金属薄膜厚度为2-30纳米，金属粒子以连续粒子形式存在；所述的透明衬底上还沉积有一层惰性过渡层。本发明公开的制备方法工艺简单，所得二氧化钒基复合薄膜在保持二氧化钒热致变色性能的前提下可有效降低其低温相的辐射率，有助于改善其低温相的保温性能，扩大其作为节能窗的应用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 辐射 可调 氧化 复合 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种辐射率可调的二氧化钒基复合薄膜，包括透明衬底和复合薄膜，所述的复合薄膜包括位于透明衬底之上的二氧化钒薄膜和位于二氧化钒薄膜之上的导电金属薄膜。
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