[发明专利]一种辐射率可调的二氧化钒基复合薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种辐射率可调的二氧化钒基复合薄膜，包括透明衬底和复合薄膜，所述的复合薄膜包括位于透明衬底之上的二氧化钒薄膜和位于二氧化钒薄膜之上的导电金属薄膜；所述导电金属薄膜中的金属粒子以连续粒子形式存在。

2.如权利要求1所述的一种辐射率可调的二氧化钒基复合薄膜，其特征在于：所述的复合薄膜还包括无机透明薄膜；所述无机透明薄膜位于透明衬底和二氧化钒薄膜之间，或者位于二氧化钒薄膜和导电金属薄膜之间，或者位于导电金属薄膜之上。

3.如权利要求2所述的一种辐射率可调的二氧化钒基复合薄膜，其特征在于：所述的无机透明薄膜的成分选自SiO₂、TiO₂、ZrO₂、Al₂O₃或者ZnO。

4.如权利要求1所述的一种辐射率可调的二氧化钒基复合薄膜，其特征在于：所述的导电金属薄膜的原料选自铂、金、银、铜、铝中的一种或为其中多种金属的合金；导电金属薄膜的厚度为2-30纳米。

5.如权利要求1所述的一种辐射率可调的二氧化钒基复合薄膜，其特征在于：所述的二氧化钒薄膜的主成分为VO_2-x，其中-0.3＜x＜0.6。

6.如权利要求1所述的一种辐射率可调的二氧化钒基复合薄膜，其特征在于：所述的二氧化钒薄膜中掺杂有一种或多种元素；所述掺杂元素选自钨、钼、铌、铬、钛、铝、钽、锰、氟、氮和氢中的一种或几种。

7.如权利要求1或2所述的一种辐射率可调的二氧化钒基复合薄膜，其特征在于：所述的透明衬底上还沉积有一层惰性过渡层。

8.如权利要求1-7任一所述的辐射率可调的二氧化钒基复合薄膜的制备方法，包括如下步骤：1)在透明衬底上沉积二氧化钒薄膜；2)溅射法制备导电金属薄膜。

9.如权利要求8所述的辐射率可调的二氧化钒基复合薄膜的制备方法，其特征在于：溅射法制备导电金属薄膜的具体步骤如下： 

将沉积有二氧化钒薄膜的透明衬底放置于溅射室内，抽真空到气压1Pa≤P≤50Pa，以重量百分含量≥98％的金属材料为靶材，工作气氛为纯氩气，将纯氩气以30sccm≤v≤500sccm的流速注入溅射室内并保持气压1Pa≤P≤50Pa，溅射电流为1-1000mA，溅射时间为10-1000秒；

所述金属材料选自铂、金、银、铜、铝中的一种或为其中多种金属的合金。

10.如权利要求1-7任一所述的辐射率可调的二氧化钒基复合薄膜在智能节能玻璃中的应用。