[发明专利]一种多晶硅的制备方法

摘要

本发明公开了一种多晶硅的制备方法，包括如下步骤：(1)以金属硅粉为原料，磁选；(2)将磁选后的原料和三氯化铝混匀在600～800℃，反应1.5～2.5小时，冷却至常温；(3)将经步骤(2)处理得到的物质加入浓盐酸浸泡搅拌，再加入王水浸泡搅拌，除去液体，向固体中加入浓盐酸，氢氟酸和碳酸盐和无机碱的混合物，浸泡搅拌，除去液体，用甲醇水溶液冲冼固体，干燥；(4)将经步骤(3)处理得到的固体放置在定向结晶//定向凝固铸造炉内，抽真空并充氮气，升温，通入混合气体，反应，制成多晶硅锭。本发明的方法可以提高原料工业硅的纯度，消除杂质，特别是非金属杂质，保持硅晶体硬度，硅原子结构不发生变化，获得多晶硅。

主权项

一种多晶硅的制备方法，其特征是包括如下步骤：(1)以纯度为97-98％的粒径为100目～1000目的金属硅粉为原料，通过磁选机，进行磁选；(2)按质量比为1000∶3-5的比例，将磁选后的原料和三氯化铝混匀放置在高温炉内，在600～800℃，反应1.5～2.5小时，冷却至常温；(3)按照质量计，将100份经步骤(2)处理得到的物质放入反应釜内，加入10～20份的浓盐酸浸泡搅拌4～6小时，再加入10～15份的王水浸泡搅拌4～6小时，除去液体，向固体中加入10～20份的浓盐酸，10～15份的氢氟酸和8～12份的质量比为1∶0.1～5的碳酸盐和无机碱的混合物，浸泡搅拌10～12小时，除去液体，用质量浓度为0.3％～0.5％的甲醇水溶液冲冼固体，将固体干燥；(4)将经步骤(3)处理得到的固体放置在定向结晶//定向凝固铸造炉内，抽真空并充氮气，升温至1100～1200℃，通入混合气体，反应1～2小时，制成多晶硅锭，所述混合气体的通入量为所述定向结晶//定向凝固铸造炉内物质质量的1/4，所述混合气体是质量比为2∶1的氯化氢气体和氢气。