[发明专利]成膜装置和成膜方法有效
申请号: | 201010145553.8 | 申请日: | 2010-04-08 |
公开(公告)号: | CN101859694A | 公开(公告)日: | 2010-10-13 |
发明(设计)人: | 加藤寿;本间学;菊地宏之 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;C23C16/46;C23C16/455 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种成膜装置和成膜方法。通过使载置有晶圆的旋转台绕铅垂轴线旋转,向晶圆的表面供给第一反应气体而使该反应气体吸附在晶圆的表面上,接下来,按照与该第一反应气体发生反应而生成具有流动性的中间产物的辅助气体以及与该中间产物发生反应而生成反应生成物的第二气体这样的顺序向晶圆的表面供给,然后,通过加热灯加热晶圆而使反应生成物致密化。 | ||
搜索关键词: | 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种成膜装置,其在真空容器内的工作台上载置有基板,并且通过使工作台与分别供给相互反应的至少两种反应气体的多个反应气体供给部件相对旋转,按顺序向基板供给至少两种反应气体,并且实施该供给循环,由此层叠反应生成物层而形成薄膜,其特征在于,其包括:基板载置区域,其设置在真空容器内的工作台的表面上,用于载置基板;旋转机构,其用于使工作台与多个反应气体供给部件相对旋转,使得基板按顺序位于从多个反应气体供给部件分别供给反应气体的多个处理区域;第一反应气体供给部件,其与工作台上的基板载置区域相对设置,用于向基板上供给第一反应气体而使该第一反应气体吸附在基板上;辅助气体供给部件,其与工作台上的基板载置区域相对设置,并且在工作台的周向上与第一反应气体供给部件隔开间隔地设置在第一反应气体供给部件的工作台相对于多个气体供给部件进行相对旋转的相对旋转方向的下游侧,用于向基板上供给辅助气体,该辅助气体与吸附在基板上的第一反应气体发生反应而生成具有流动性的中间产物;第二反应气体供给部件,其与工作台上的基板载置区域相对设置,并且在工作台的周向上设置在辅助气体供给部件的相对旋转方向的下游侧,用于向基板上供给与基板上的中间产物发生反应而生成反应生成物的第二反应气体;加热部件,其与工作台上的基板载置区域相对设置,且在工作台的周向上设置在第二反应气体供给部件的相对旋转方向的下游侧并且设置在第一反应气体供给部件的相对旋转方向的上游侧,其用于加热基板,以使反应生成物致密化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造