[发明专利]氮化硅中添加氧化铈的陶瓷的生产方法无效
| 申请号： | 201010145017.8 | 申请日： | 2010-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN102211943A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 沈斌斌 | 申请（专利权）人： | 沈斌斌 |
| 主分类号： | C04B35/622 | 分类号： | C04B35/622;C04B35/584 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201700 上海市青浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明是在氮化硅的生产工艺的基础上添加一种添加剂氧化铈(Ce2O3)，来制取具有更好性能的无压烧结生产高性能氮化硅(Si3N4)陶瓷的方法。其特征所涉及的无压烧结生产高性能氮化硅，组分及质量百分比含量为：氧化铈11～13％，氮化硅87％～89％。氮化硅陶瓷作为一种重要的结构陶瓷材料，具有高强度、高硬度、抗热震、抗蠕变、耐腐蚀等一系列优良性能，被广泛用于切削工具等。而其特有的质轻、热膨胀系数低等特性使其优于其它结构陶瓷材料成为轴承钢重要的替代材料，可用作陶瓷轴承材料。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 添加 氧化 陶瓷 生产 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化硅中添加氧化铈的陶瓷的生产方法。本发明所涉及的氧化铈作为添加剂无压烧结生产的氮化硅陶瓷，组分及质量百分比含量为：氧化铈11～13％，氮化硅91％～95％；所述的氧化铈粒度3～5微米，氮化硅粒度0.3～0.8微米。
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