[发明专利]硅电容麦克风及制造硅电容麦克风的方法有效
申请号: | 201010144913.2 | 申请日: | 2010-04-06 |
公开(公告)号: | CN101808263A | 公开(公告)日: | 2010-08-18 |
发明(设计)人: | 张睿;杨斌;颜毅林;葛舟 | 申请(专利权)人: | 瑞声声学科技(深圳)有限公司;瑞声微电子科技(常州)有限公司 |
主分类号: | H04R19/04 | 分类号: | H04R19/04;H04R31/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518057 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供了一种硅电容麦克风,其包括基底、与基底相连的支撑层、振膜、与振膜相连的振膜电极、与振膜电极电导通的振膜焊盘、背板、与背板相连的背板电极、与背板电极电导通的背板焊盘,其中振膜与背板通过支撑层相对设置,支撑层包括相互独立、互不连接的第一支撑层和第二支撑层,振膜焊盘与背板焊盘分别设置在第一支撑层、第二支撑层上。可以降低寄生电容,提高绝缘电阻。 | ||
搜索关键词: | 电容 麦克风 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种硅电容麦克风,其包括基底、与基底相连的支撑层、振膜、与振膜相连的振膜电极、与振膜电极电导通的振膜焊盘、背板、与背板相连的背板电极、与背板电极电导通的背板焊盘,其中振膜与背板通过支撑层相对设置,其特征在于:支撑层包括相互独立、互不连接的第一支撑层和第二支撑层,振膜焊盘与背板焊盘分别设置在第一支撑层、第二支撑层上。
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