[发明专利]一种提高平板发光器件耦合出光效率的方法无效
| 申请号： | 201010143598.1 | 申请日： | 2010-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN101814587A | 公开（公告）日： | 2010-08-25 |
| 发明（设计）人： | 杨柏;李云峰;李峰;张俊虎;朱守俊 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56;H01L51/52 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人： | 张景林;刘喜生 |
| 地址： | 130012 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明属于平板发光器件领域，特别是有机电致发光器件领域，具体涉及一种提高平板发光器件耦合出光效率的方法。具体涉及在有机电致发光器件基片表面直接刻蚀制备纳米锥阵列提高平板发光器件耦合出光效率的方法。该方法利用纳米锥阵列十分优异的宽波段减反射、增透性能，实现了白色有机电致发光器件耦合出光效率提高1.4倍。同时，对于在角度达到70度的时候，两种器件发光强度比值达到了60倍。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 平板 发光 器件 耦合 效率 方法 | ||
【主权项】：
一种改善平板发光器件耦合出光效率的方法，其包括以下步骤：(1)制备直径为纳米或微米量级的微球；(2)在有机电致发光器件透明基底的一侧制备紧密排列的单层微球；(3)以紧密排列的单层微球为掩膜，利用反应性离子刻蚀技术在透明基底的一侧制备纳米锥阵列的减反射和增透表面；(4)在没有二氧化硅纳米锥阵列的透明基底的一侧磁控溅射功函数大而且透明的电极材料作为阳极层；(5)在阳极层上再依次制作有机聚合物层或是小分子层，以及功函数小的电极材料作为阴极层，从而制备耦合出光效率得到改善的平板发光器件。
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