[发明专利]功率半导体器件的终端结构及功率半导体器件有效
| 申请号： | 201010141174.1 | 申请日： | 2010-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN102208436A | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | 周振强;江堂华;吴家键;蔡桥斌 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518118 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种功率半导体器件的终端结构及功率半导体器件。该功率半导体器件的终端结构包括位于功率半导体器件主体半导体区中的沟道环，所述沟道环的材料为相对介电常数为1～15之间的本征多晶材料。本发明的功率半导体器件的终端结构中沟道环采用相对介电常数在15以内的本征多晶材料，使通过该沟道环区域内的电场线接近水平、并且在该区域内无极值点，可以很好地降低载流子的滞留量，从而提高击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 终端 结构 | ||
【主权项】：
一种功率半导体器件的终端结构，包括位于功率半导体器件主体半导体区中的沟道环，其特征在于，所述沟道环的材料为相对介电常数为1～15之间的本征多晶材料。
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