[发明专利]一种制作纳米压印印章的方法无效
| 申请号： | 201010139179.0 | 申请日： | 2010-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN101825842A | 公开（公告）日： | 2010-09-08 |
| 发明（设计）人： | 刘宏伟;阚强;王春霞;陈弘达 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制作纳米压印印章的方法，该方法通过电子束曝光在电子束胶上得到纳米图形，利用金属蒸发和电镀的方法将该纳米图形填充后转移到金属表面，然后将带有微纳结构的金属镀膜转移粘附在金属衬底上，得到可重复使用的纳米压印印章。该方法制作的金属纳米压印印章具有高硬度和良好的延展性能，同时制作成本较低，工艺实现简单，在微纳图形加工技术领域可以得到广泛应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制作 纳米 压印 印章 方法 | ||
【主权项】：
一种制作纳米压印印章的方法，其特征在于，该方法通过电子束曝光在电子束胶上得到纳米图形，利用金属蒸发和电镀的方法将该纳米图形填充后转移到金属表面，然后将带有微纳结构的金属镀膜转移粘附在金属衬底上，得到可重复使用的纳米压印印章。
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