[发明专利]单相结构-高密度铟锡氧化物靶材的制备方法

摘要

本发明是一种单相结构、高密度铟锡氧化物靶材的制备方法，是一种以常压烧结法制备ITO靶材的方法。本发明是利用化学共沉淀法制备ITO复合粉体，在ITO粉体中加入粘结剂进行造粒并干燥，对造粒过后的ITO粉体模压成型得到初坯，再对初坯冷等静压得到素坯，对素坯进行脱蜡去除其中的粘结剂，最后把脱蜡过的素坯在高温氧氛围下烧结得到ITO靶材。本发明工艺简单，过程容易控制，缩短了在高温段的烧结时间，不用添加分散剂和烧结助剂，所需生产成本较低，素坯是粉体经过造粒后压制而成，烧结出的靶材成分更均匀，不容易开裂，且为单相结构、高密度。

主权项

一种单相结构、高密度铟锡氧化物靶材的制备方法，其特征在于：以铟、锡金属，浓硝酸和逆王水为原料，金属铟、锡的加入量依据混合溶液中换算后的氧化铟和氧化锡质量百分比In2O3∶SnO2＝90∶10加入，用化学共沉淀法制备铟锡氧化物复合粉体；所述化学共沉淀法是指把铟溶于浓硝酸，锡溶于逆王水，待铟和锡完全溶解后，将两种溶液混合，混合溶液经共沉淀、洗涤杂质离子、固液分离、共沸蒸馏、干燥、煅烧得到铟锡氧化物复合粉体；然后在铟锡氧化物粉体中加入粘结剂进行造粒并干燥，对造粒过后的粉体先模压成型得到初坯，再对初坯进行冷等静压得到素坯，对素坯进行脱蜡，最后把脱蜡过的素坯在氧氛围中进行烧结得到铟锡氧化物靶材。