[发明专利]高场不对称波形离子迁移管及其制作方法

摘要

本发明公开了一种高场不对称波形离子迁移管及其制作方法，高场不对称波形离子迁移管包括基片、支撑梁、迁移区电极、检测电极、主屏蔽电极、辅助屏蔽电极、加热电阻和温度传感器。主屏蔽电极和辅助屏蔽电极降低了迁移区电场对检测电极的干扰，加热电阻和温度传感器直接集成于迁移管上，在不增加迁移管体积的前提下实现了迁移管温度的精确控制；制作方法采用丝网印刷浆料而后高温烧结的厚膜工艺，基片采用陶瓷材料，而不是易碎的硼硅玻璃材料，制作方法简单，工艺周期短，成本低，适合大批量生产。

主权项

一种高场不对称波形离子迁移管，包括有上、下基片和支撑上、下基片的支撑梁，其特征在于：所述上、下基片和支撑梁之间的通道构成气流通道，所述上、下基片的内侧面沿着气流的方向通过烧结固化方式依次附着有相对应的上、下迁移电极，上、下辅助屏蔽电极和上、下检测电极，所述上、下基片的外侧面通过烧结固化方式依次附着有相对应的上、下加热电阻和上、下主屏蔽电极，所述上、下基片的内侧面或外侧面还通过烧结固化方式相对应的附着有上、下温度传感器；所述上、下迁移电极后方的气流通道构成离化区，上、下迁移电极之间的气流通道构成迁移区，所述上、下检测电极之间的气流通道构成检测区。