[发明专利]新型ReB2/TaN高硬纳米多层薄膜及其制备方法与应用无效
| 申请号： | 201010133702.9 | 申请日： | 2010-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN101798671A | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | 李德军;刘广庆;刘孟寅;龚杰;孙延东 | 申请（专利权）人： | 天津师范大学 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/36;B32B9/00 |
| 代理公司： | 天津市杰盈专利代理有限公司 12207 | 代理人： | 朱红星 |
| 地址： | 300387 *** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及新型超硬ReB2/TaN纳米多层膜及其制备方法与应用，它是在单面抛光的Si(100)基底上先沉积TaN作为过度层，再交替沉积ReB2和TaN做多层膜，其中ReB2∶TaN的调制比为1∶1～7∶1；每周期层厚为10-40nm，多层膜的周期个数为20-40层，总层厚为400～700nm，经过比较不同参数下得到的实验结果，确定出最佳结果的多层膜相关实验参数。本发明的新型高硬ReB2/TaN纳米多膜具有高硬度、低残余应力，高膜基结合力的优良综合特性，在改变调制比结合基底加热条件下合成的调制周期为20nm多层膜硬度高达34GPa和较低残余应力1.39GPa。这将有效提高切削刀具使用寿命，使刀具获得优良的综合机械性能，从而大幅度提高机械加工效率。对我国的切削刀具技术的提高，促进制造业的发展具有重要意义。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 reb sub tan 纳米 多层 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种ReB2/TaN纳米多层膜，其特征在于在单面抛光的Si(100)基底上先沉积50-80nm TaN作为过度层，再交替沉积TaN和ReB2做多层膜，每周期层厚为10-40nm，多层膜的周期为20-40层，总层厚为400-700nm；其中ReB2∶TaN的调制比为1∶1～7∶1。
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