[发明专利]高压带隙基准及其启动电路无效

专利信息
申请号: 201010132627.4 申请日: 2010-03-25
公开(公告)号: CN102200795A 公开(公告)日: 2011-09-28
发明(设计)人: 肖国庆;李茂登 申请(专利权)人: 上海沙丘微电子有限公司
主分类号: G05F3/30 分类号: G05F3/30
代理公司: 上海东方易知识产权事务所 31121 代理人: 沈原
地址: 201108 上海*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 高压带隙基准及其启动电路,带隙基准电路中第一、三、七、九MOS管与一三极管依次串联;第二、四、八、十MOS管、电阻及另一三极管依次串联;第五、六MOS管、电阻及再一三极管依次串联;第一管栅、漏极与第二、五管栅极相连;第三管的栅、漏极与第四、六管栅极相连;第八管栅、漏极与第七管栅极相连;第十管栅、漏极与第九管栅极相连。启动电路中电阻、第十一、十二MOS管依次串联;第十一管栅、漏极相连,第十二管栅极连到输出点;第十三MOS管漏极连到电源一端,栅极连到第十一管漏极,第十三管源极通过一电阻连接到第四管漏极。本发明可工作在极高的电源电压下和很宽的电压范围内。其启动电路在高压电源时也可安全可靠的工作。
搜索关键词: 高压 基准 及其 启动 电路
【主权项】:
一种高压带隙基准及其启动电路,包括一个启动电路以及一个与其连接的带隙基准电路,其特征在于所述的带隙基准电路中:第一MOS管、第三MOS管、第七MOS管、第九MOS管以及第一三极管依次串联连接在电源两极;第二MOS管、第四MOS管、第八MOS管、第十MOS管、第一电阻以及第二三极管依次串联连接在电源两极;第五MOS管、第六MOS管、第二电阻以及第三三极管依次串联连接在电源两极;其中,第一MOS管的栅极与漏极相连接,并与第二MOS管、第五MOS管的栅相连接,形成电流镜;第三MOS管的栅极与漏极相连接,并与第四MOS管、第六MOS管的栅相连接,形成电流镜;第八MOS管的栅极与漏极相连接,并与第七MOS管的栅相连接,形成电流镜;第十MOS管的栅极与漏极相连接,并与第九MOS管的栅相连接,形成电流镜;所述的启动电路中:第三电阻、第十一MOS管、第十二MOS管依次串联连接在电源两极;第十一MOS管的栅极与漏极相连接,第十二MOS管的栅极连接到带隙基准电路的输出点(Vref);第十三MOS管的漏极连到电源一端,栅极连到第三电阻与第十一MOS管漏极的公共端,第四电阻的一端与第十三MOS管源极相连接,另一端连接到第四MOS管漏极与第八MOS管漏极的公共端。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海沙丘微电子有限公司,未经上海沙丘微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010132627.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top