[发明专利]一种不对称型源漏场效应晶体管及其制备方法无效
| 申请号： | 201010132084.6 | 申请日： | 2010-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN101807602A | 公开（公告）日： | 2010-08-18 |
| 发明（设计）人： | 吴东平;张世理;朴颖华 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于微电子器件技术领域，具体公开了一种不对称型源漏场效应晶体管及其制备方法。该不对称型源漏场效应晶体管是指晶体管的源区和漏区之一是由PN结构成而另一个是由PN结和肖特基结组成的混合结构成。同具有肖特基结的金属源漏场效应晶体管相比，本发明所述的场效应晶体管具有较低的漏电流特性，同时该种场效应晶体管的源漏串联电阻比PN结型源漏场效应晶体管的源漏串联电阻小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 不对称 型源漏 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种不对称型源漏场效应晶体管，其结构包括：半导体衬底、栅极结构、分别为混合结和PN结的源区和漏区，其特征在于：所述源区与漏区结构不对称，其一由PN结构成，另外一个由混合结构成，所述混合结由肖特基结和PN结混合构成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于复旦大学，未经复旦大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010132084.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
