[发明专利]超导化合物制造方法及用该方法制造的超导化合物无效
| 申请号： | 201010129307.3 | 申请日： | 2010-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN102194551A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 李强 | 申请（专利权）人： | 田多贤 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00;H01B12/00 |
| 代理公司： | 北京金恒联合知识产权代理事务所 11324 | 代理人： | 李强 |
| 地址： | 100083 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 化合物制造方法，包括：在化合物中形成一个能带系统，包括一个上能带和位于所述上能带下方的一个下能带，所述上能带和所述下能带之间为禁带，其特征在于：所述上能带的底部(Ej1)与所述下能带的顶部(Ei1)的能量差等于或略小于hωM/(2π)；ωM是该化合物中声子振动模的最大频率。本发明还包括用该方法制成的化合物。由于电子对是“纵向”配对的，在T＝0K下，体系里所有电子都结成了网络；当T上升时，该电子网络从其顶部(即费米能级EF附近)开始被破坏；在某临界温度Tc之上，电子网络上部被严重破坏，而由于对导电有贡献的电子都位于费米能级EF附近，所以在Tc之上对导电有贡献的电子基本上都不再处于这个网络之中。因此，超导转变本身是电子网络完整性的一个标志。 | ||
| 搜索关键词： | 超导 化合物 制造 方法 | ||
【主权项】：
化合物制造方法，包括：在化合物中形成一个能带系统，该能带系统包括一个上能带和位于所述上能带下方的一个下能带，所述上能带和所述下能带之间为禁带，其特征在于：所述上能带的底部(Ej1)与所述下能带的顶部(Ei1)的能量差等于或略小于hωM/(2π)，其中ωM是该化合物中的声子振动模的最大频率，其中h是普朗克常数。
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