[发明专利]光学装置的制备方法无效
| 申请号： | 201010127932.4 | 申请日： | 2010-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN102191526A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 廖家庆 | 申请（专利权）人： | 盛贸科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C25D9/08 | 分类号： | C25D9/08 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健;王俊民 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种光学装置的制备方法，包括：配置0.01-1MOL/L硝酸镍溶液；形成电镀液；添加硝酸溶液于该电镀溶液中，将其pH值调整至3-4之间；利用阴极电镀方式在一导电基材上形成一镍氧化物薄膜，完成一镍氧化物薄膜电极具有该透明导电玻璃基材及该镍氧化物薄膜，其中该镍氧化物薄膜电极具有一光学调制能力范围；以及不以电化学方法活化该镍氧化物薄膜电极，而以温度约200℃-300℃进行热处理，以使该镍氧化物薄膜电极具有良好的锂离子嵌入/迁出的性质，并增广该光学调制能力范围。本发明适用于各种需要使用光学装置的制备方法的场合。 | ||
| 搜索关键词： | 光学 装置 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种光学装置的制备方法，其特征在于：所述方法包括：配置0.01‑1MOL/L硝酸镍溶液；形成电镀液；添加硝酸溶液于该电镀溶液中，将其pH值调整至3‑4之间；利用阴极电镀方式在一导电基材上形成一镍氧化物薄膜，完成一镍氧化物薄膜电极具有该透明导电基材及该镍氧化物薄膜，其中该镍氧化物薄膜电极具有一光学调制能力范围；以及不以电化学方法活化该镍氧化物薄膜电极，而以温度约200℃‑300℃进行热处理，以使该镍氧化物薄膜电极具有良好的锂离子嵌入/迁出的性质，并增广该光学调制能力范围。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于盛贸科技股份有限公司，未经盛贸科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010127932.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
