[发明专利]含硅聚电解质声表面波谐振型湿敏元件及其制备方法无效
| 申请号： | 201010125466.6 | 申请日： | 2010-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN101788520A | 公开（公告）日： | 2010-07-28 |
| 发明（设计）人： | 李扬;李朋;杨慕杰 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | G01N27/26 | 分类号： | G01N27/26 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开的含硅聚电解质声表面波谐振型湿敏元件，是在以ST切石英晶体为基底材料的声表面波谐振器件表面沉积有湿敏薄膜，该湿敏薄膜为3-氨丙基三乙氧基硅单溴代正己烷季铵盐聚电解质薄膜。采用静电喷涂的方法沉积3-氨丙基三乙氧基硅单溴代正己烷季铵盐，随后加热使之缩合聚合形成具有交联结构的含硅聚电解质湿度敏感膜。本发明制备工艺简单，成本低。通过静电喷涂方法可实现敏感膜的均一、可控沉积，而加热缩聚显著提高湿敏元件的稳定性，所制备的湿敏元件在宽的湿度范围(11～95％RH)内，具有感湿灵敏度高(400Hz/％RH)，响应快，回复性佳，稳定性好等特点，可广泛应用于工农业生产过程，仓储，大气环境监测对于环境湿度精确测量与控制。 | ||
| 搜索关键词： | 含硅聚 电解质 表面波 谐振 型湿敏 元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
含硅聚电解质声表面波谐振型湿敏元件，其特征在于：它是在以ST切石英晶体为基底材料的声表面波谐振器件表面沉积有湿敏薄膜，该湿敏薄膜为3-氨丙基三乙氧基硅单溴代正己烷季铵盐聚电解质薄膜。
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