[发明专利]像素结构有效
申请号: | 201010115391.3 | 申请日: | 2010-02-05 |
公开(公告)号: | CN101770117A | 公开(公告)日: | 2010-07-07 |
发明(设计)人: | 柳智忠;李得俊;曾迎祥 | 申请(专利权)人: | 深超光电(深圳)有限公司 |
主分类号: | G02F1/1337 | 分类号: | G02F1/1337;G02F1/1343 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 丁建春;陈华 |
地址: | 518100广东省深圳市宝安*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供了一种像素结构,包括主动元件、上像素电极与下像素电极。上像素电极电连接主动元件,并具有第一交叉电极以及多个上配向狭缝组,上配向狭缝组位于第一交叉电极所划分出的区域,且上配向狭缝组定义出多个配向区域。上像素电极以及下像素电极之间形成V型主狭缝,V型主狭缝具有尖端以及与尖端连接的两支部,尖端朝向下像素电极,而下像素电极具有第二交叉电极以及多个下配向狭缝组,且下配向狭缝组定义出多个配向区域。其中,邻接各支部的其中一上配向狭缝组与所邻接的支部平行,而邻接各支部的其中一下配向狭缝组与所邻接的支部平行。 | ||
搜索关键词: | 像素 结构 | ||
【主权项】:
一种像素结构,其特征在于,该像素结构包括:一第一主动元件;一上像素电极,电连接该第一主动元件,并具有一第一交叉电极以及多个上配向狭缝组,该多个上配向狭缝组位于该第一交叉电极所划分出的区域,且该多个上配向狭缝组定义出多个配向区域;以及一下像素电极,该上像素电极以及该下像素电极之间形成一V型主狭缝,该V型主狭缝具有一尖端以及与该尖端连接的两支部,该尖端朝向该下像素电极,而该下像素电极具有一第二交叉电极以及多个下配向狭缝组,该多个下配向狭缝组位于该第二交叉电极所划分出的区域,且该多个下配向狭缝组定义出多个配向区域,其中,邻接各该支部的其中一该上配向狭缝组与所邻接的该支部平行,而邻接各该支部的其中一该下配向狭缝组与所邻接的该支部平行。
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