[发明专利]存储器电路有效

专利信息
申请号: 201010115304.4 申请日: 2010-02-11
公开(公告)号: CN101807428A 公开(公告)日: 2010-08-18
发明(设计)人: 津村和宏 申请(专利权)人: 精工电子有限公司
主分类号: G11C8/12 分类号: G11C8/12;G11C29/00
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 黄纶伟
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及存储器电路。存储器单元A配置成行列状,在各列中具有存储单元B,该存储单元B用于存储表示各列的存储器单元A的写入是否已经完成的信息,该存储器电路具有利用存储器单元B的存储信息来进行列的选择的电路,在针对某列的所述存储器单元A的写入完成之后,对用于存储该列的写入信息的所述存储器单元B写入写入完成信息。通过该写入而使得所述存储器单元B的存储信息发生变化,利用上述变化的情况,该列从选择状态变成非选择状态,下一列从非选择状态变成选择状态,由此能够对下一列进行写入。通过重复进行该动作来依次选择要进行写入的列。
搜索关键词: 存储器 电路
【主权项】:
一种存储器电路,在该存储器电路中,将存储器单元A配置成行列状,并通过选择行和列来选择所希望的存储器单元而写入信息,该存储器电路的特征在于,在各列中具有存储单元B,该存储单元B用于存储表示各列的所述存储器单元A的写入是否已经完成的信息,该存储器电路具有利用所述存储器单元B的存储信息来进行列的选择的电路,在针对某列的所述存储器单元A的写入完成之后,对用于存储所述列的写入信息的所述存储器单元B写入写入完成信息,通过该写入而使得所述存储器单元B的存储信息发生变化,利用上述变化,所述列从选择状态变成非选择状态,下一列从非选择状态变成选择状态,由此能够对所述下一列进行写入,通过重复进行该动作来依次选择要进行写入的列。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于精工电子有限公司,未经精工电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010115304.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top