[发明专利]一种测量扫描光刻机中掩模台扫描倾斜的方法有效
| 申请号： | 201010114203.5 | 申请日： | 2010-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN102169294A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | 朱健 | 申请（专利权）人： | 上海微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F9/00 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人： | 王光辉 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种测量掩模台扫描倾斜的方法，用于测量光刻机中掩模台在水平向运动的时候引起的垂向变化，该方法包括使用包含不对称的细分结构的对准光栅线条标记阵列图形的掩模；利用步进扫描曝光的方式，将掩模图形曝光至硅片上；每次扫描曝光过程中，硅片的上表面高度由硅片垂向测量控制系统保持不变；整个曝光过程中，对应不同次扫描曝光，硅片台由垂向测量系统控制，根据设定的步进距离改变硅片台高度，使得每个曝光场对应不同的硅片高度，直至完成硅片台全部设定点的曝光；曝光完毕后对硅片进行显影；显影完毕后将硅片再次载入硅片台，使用对准系统读取曝光标记的偏移量；进行拟合，计算曝光的最佳物面；对硅片上表面每个点的最佳物面进行拟合，计算扫描倾斜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 测量 扫描 光刻 机中掩模台 倾斜 方法 | ||
【主权项】：
一种测量掩模台扫描倾斜的方法，用于测量光刻机掩模台在水平向运动时引起的掩模台垂向变化，该方法包括：使用具有标记阵列图形的掩模，所述标记为不对称细分结构的对准光栅线条标记；利用步进扫描曝光的方式，将掩模图形曝光至硅片上；硅片的上表面由硅片垂向测量控制系统控制，使硅片上表面在单次曝光中的高度保持不变；硅片台在垂向测量系统控制下根据设定的步进距离改变硅片台高度进行多次曝光，使得每个曝光场对应不同的硅片高度，直至完成硅片台全部设定点的曝光；曝光完毕后对硅片进行显影；显影完毕后将硅片再次载入硅片台，使用对准系统读取曝光标记的偏移量；对曝光标记的偏移量进行拟合，计算曝光的最佳物面；对硅片上表面每个点的最佳物面进行拟合，计算扫描倾斜。
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